砷化铟探测器使用建议：
● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前***放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

主要技术指标
型号/参数DInAs3800DInAs3800-TE

光敏面直径(mm)22波长范围(μm)1-3.81-3.8

峰值响应度(A/W)0.81.5D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-12.5×1099.1×1012NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/2714.4

温控器型号-ZTC-2探测器温度(℃)室温-40温度稳定度(℃)-±0.5

信号输出模式电流电流输出信号极性正(P)正(P)

制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)推荐使用前置放大器型号:ZAMP

■ 砷化铟探测器(InAs)
———近红外探测器  波长范围:1-3.8μm
   DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:

◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;

◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。