C2M0080120D 参数如下：
产品属性 属性值 搜索类似 制造商:
Cree, Inc.
 
产品种类:
MOSFET
 
RoHS:
 详细信息
 
技术:
SiC
 
安装风格:
Through Hole
 
封装 / 箱体:
TO-247-3
 
通道数量:
1 Channel
 
晶体管 性:
N-Channel
 
Vds-漏源 击穿电压:
1200 V
 
Id-连续漏 电流:
31.6 A
 
Rds On-漏源导通电阻:
98 mOhms
 
Vgs - 栅 -源 电压:
- 5 V, 20 V
 
Vgs th-栅源 阈值电压:
4 V
 
Qg-栅 电荷:
71 nC
 
小工作温度:
- 55 C
 
大工作温度:
+ 150 C
 
Pd-功率耗散:
208 W
 
配置:
Single
 
通道模式:
Enhancement
 
封装:
Tube
 
高度:
21.1 mm
 
长度:
16.13 mm
 
产品:
Power MOSFETs
 
晶体管类型:
1 N-Channel
 
类型:
Silicon Carbide Power MOSFET
 
宽度:
5.21 mm
 
商标:
Wolfspeed / Cree
 
正向跨导 - 小值:
3.9 S
 
下降时间:
21 ns
 
产品类型:
MOSFET
 
上升时间:
34 ns
 
工厂包装数量:
30
 
子类别:
MOSFETs
 
典型关闭延迟时间:
23.2 ns
 
典型接通延迟时间:
12 ns
 
单位重量:
38 g


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